Физический энциклопедический словарь - магнитныеполупроводники

Многие св-ва М. п. объясняются тем, что энергия носителей заряда минимальна при ферромагн. упорядочении и повышается при его разрушении. Поэтому, напр., в антиферромагнетиках возможны специфич. состояния Носителей (ф е р р о н н ы е), когда эл-н проводимости создаёт в кристалле ферромагн. микрообласть и локализуется в ней, делая её стабильной. В вырожденных полупроводниках возможны коллективные ферронные состояния, когда кристалл разбивается на чередующиеся феррои антиферромагн. области. В каждой ферромагн. области находится много эл-нов, в антиферромагнитных же областях их нет. Св-ва М. п. делают их перспективными для использования в электронике. Уже созданы приборы, основанные на гигантском (до 5•10⁶ град/см) фарадеевском вращении плоскости поляризации в М. п. (см. Фарадея эффект).

• Метфессель 3., Маттис Д., Магнитные полупроводники, пер. с англ., М., 1972; Нагаев Э. Л., Физика магнитных полупроводников, М., 1979.

Э. Л. Нагаев.